・ 対向ターゲット間におけるプラズマ拘束
→ 基板への高エネルギー粒子の抑制 → 低ダメージ成膜
→ 基板への大量の電子抑制(ジュール熱の抑制)→ 低温成膜
・ ターゲット外縁部におけるプラズマ形成
→ エロージョン領域の増加 → ターゲット利用効率の向上
→ 大型ターゲットにおける均一なプラズマ形成 → 大型基板への対応可能
・ ターゲット冷却機構の改善
→ 最大投入電力の増加 → 成膜速度の向上
→ 磁場形成磁石の劣化抑制 → 装置の長期安定性向上
・真空槽とプラズマ源の分離
→ 真空槽の小型化による装置全体の小型化を実現
→ 装置の操作性・メンテナンス性の向上